英特尔：Intel 3“3nm”工艺技术已量产

英特尔表示，Intel 3（3nm级）工艺技术已在两个晶圆工厂投入大批量生产，该公司还提供了有关新生产节点的一些其他细节。新工艺带来更高的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V电压，适用于超高性能应用。该节点面向英特尔自己的产品以及代工厂客户，还将在未来几年内不断向前发展。

“我们的Intel 3正在俄勒冈州和爱尔兰工厂大批量生产，包括最近推出的Xeon 6‘Sierra Forest’和‘Granite Rapids’处理器。”英特尔代工技术开发副总裁Walid Hafez表示。

英特尔一直将Intel 3制造工艺定位于数据中心应用，这些应用需要通过改进的晶体管（与Intel 4相比）、降低晶体管通孔电阻的电源传输电路以及设计协同优化来实现尖端性能。生产节点支持<0.6V低压以及>1.3V高压以实现最大负载。在性能方面，英特尔承诺，新节点将在相同功率和晶体管密度下实现18%的性能提升。

为了获得性能和密度的最佳组合，芯片设计人员必须使用240nm高性能和210nm高密度库的组合。此外，英特尔客户可以在三种金属堆栈之间进行选择：14层版本可降低成本，18层版本可在性能和成本之间实现最佳平衡，21层版本可提供更高的性能。

目前，英特尔将使用其3nm级工艺技术制造Xeon 6数据中心处理器。最终，英特尔代工厂将使用该生产节点为客户制造数据中心级处理器。

除了基础版的Intel 3，该公司还将提供支持硅通孔并可用作基础芯片的Intel 3T。未来，英特尔将为芯片和存储应用提供功能增强的Intel 3-E，以及可用于各种工作负载（例如人工智能（AI）/高性能计算（HPC）和通用PC）性能增强的Intel 3-PT。

（校对/张杰）